بدأت شركة سامسونج مؤخراً في إنتاج رقاقات معالج بنظام EUV التي تتميز بدقة تصنيع 7 نانومتر مع تقنية LPP لتوفير الطاقة.

كانت شركة سامسونج قد أعلنت في شهر سبتمبر من العام الماضي عن بدء تطوير رقاقة معالج 7LPP، المصممة بتقنية تصنيع EUV حيث كان من المقرر بدء إنتاج هذه الرقاقات في النصف الثاني من عام 2018.

وبالفعل بدأت سامسونج مؤخراً في إنتاج رقاقات 7LPP التي تأتي بتقنية تصنيع EUV الجديدة من الشركة مع دقة تصنيع 7 نانومتر وتقنية توفير الطاقة LPP.

وتؤكد سامسونج أن تقنية التصنيع الجديدة EUV تدعم تمكين مزيد من المكونات داخل الرقاقة بهدف إنتاج رقاقات تقدم كفاءة وآداء أعلى مع إستهلاك أقل للطاقة.

أيضاً يستخدم نظام تصنيع EUV الجديد موجات إشعاعية 13.5 نانومتر، أي أنها أقل من نظام الليزر ArF excimer المستخدم حالياً، كما أن نظام تصنيع EUV يحتاج إلى قناع واحد لا يسمح بنفاذ الأشعة لتنصيع طبقة من رقاقة السيليكون، أي بعكس تقنية تصنيع ArF التي تحتاج إلى ما يصل إلى 4 أقنعة لتصنيع نفس طبقة رقاقة السيليكون.

أي أن تقنية تصنيع سامسونج المستخدمة في رقاقة 7LPP تم خفض الأقنعة المستخدمة فيها بنسبة 20%، كما تأتي تقنية تصنيع الطباعة EUV بتحسينات لدعم أعلى آداء، مع إستهلاك أقل للطاقة وتصميم أصغر للرقاقة.

كما يختلف إصدار سامسونج الجديد 7LPP عن الإصدار السابق FinFET المميز بدقة تصنيع 10 نانومتر، حيث تأتي رقاقة 7LPP بتصميم أقل تعقيداً مع حجم أصغر يوفر نسبة 40% أكثر، مع آداء أعلى بنسبة 20% وتوفير للطاقة بنسبة 50%.