إكتشاف ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة للمغنطة

يبحث ائتلاف من الشركات الأميركية واليابانية عن إيجاد بديل لذاكرات الوصول العشوائي من نوع "دي رام" (DRAM) التي صمدت عقودا طويلة كعنصر أساسي في الحواسيب. وانضمت أكثر من عشرين شركة أميركية ويابانية متخصصة في صناعة الرقائق إلى جهود تطوير الجيل التالي من تقنية الذاكرة تدعى "ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة للمغنطة" (MRAM)، بحسب تقرير لصحيفة نيكي اليومية اليابانية. وتضم تلك الجهود شركات مثل "طوكيو إليكترو"، "وشِن إتسو كيميكال"، و"رينيساس إليكترونيكس"، و"هيتاشي"، وشركة "مايكرون تكنولوجي" الأميركية المتخصصة في صناعة الذاكرات، إلى جانب أخريات. وتقول الصحيفة إن تلك الشركات سترسل بضع عشرات من الباحثين إلى جامعة توهوكو في شمال اليابان، ليبدؤوا تحت قيادة البروفيسور الياباني "تتسو إندوه" عمليات تطوير النوع الجديد من الذاكرة في فبراير/شباط المقبل. ويتم تخزين البيانات في ذاكرة "إم رام" اعتمادا على عناصر تخزين مغناطيسية بدلا من وسائل الشحن الكهربائي أو التيار الكهربائي المستخدمة حاليا. وهي تتميز باستهلاك طاقة منخفض يعادل ثلث الطاقة التي تستهلكها ذاكرات "دي رام"، وستتوفر بسعات تعادل عشر مرات سعات ذاكرات "دي رام"، وكذلك بسرعة تعادل عشرة أضعاف سرعتها. ويوضح التقرير أن مثل تلك الذاكرات ستكون الحل الأمثل للهواتف الذكية والحواسيب اللوحية المستقبلية، لكن إنتاجها للاستخدام التجاري لن يبدأ قبل عام 2018. ومن الجدير بالذكر أنه تم ابتكار ذاكرة "دي رام" عام 1966 على يد روبرت دينارد في مركز أبحاث شركة آي بي إم الأميركية، وأتيحت بشكل تجاري أول مرة عام 1970 على يد شركة إنتل، ثم توسعت بإنتاج الوحدات الأولى منها شركة موستيك الأميركية، قبل أن تسيطر على صناعة هذا النوع من الذاكرات الشركات اليابانية. وأبرز عيوب هذه الذاكرة أنها على عكس ذاكرة الفلاش تعتبر من النوع المضطرب (Volatile)، أي أنها تفقد البيانات بسرعة بمجرد زوال الطاقة الكهربائية عنها، في حين أن الذاكرة الجديدة "إم رام" تتميز بكونها من النوع غير المضطرب (non-volatile) الذي يسمح لها بالاحتفاظ بالبيانات حتى بعد فصل التيار الكهربائي بما يتيح لها تقديم أداء أعلى.